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文献
J-GLOBAL ID：201202218141770171
整理番号：12A1117392
LPE及びMBEにより成長したInAsN希薄窒化物合金の中赤外光ルミネセンス
Mid-infrared photoluminescence of InAsN dilute nitride alloys grown by LPE and MBE
DE LA MARE M.
(Physics Dep., Lancaster Univ., Lancaster LA1 4YB, GBR)
,
ZHUANG Q.
(Physics Dep., Lancaster Univ., Lancaster LA1 4YB, GBR)
,
DHAR S.
(Dep. of Electronic Sci., Univ. of Calcutta 92, APC. Road, Kolkata-700 009, IND)
,
KRIER A.
(Physics Dep., Lancaster Univ., Lancaster LA1 4YB, GBR)
資料名：
Infrared Physics & Technology
(Infrared Physics & Technology)
巻： 55 号： 5 ページ： 399-402 発行年： 2012年09月
JST資料番号： H0184A ISSN： 1350-4495 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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