文献
J-GLOBAL ID:201202218141770171
整理番号:12A1117392
LPE及びMBEにより成長したInAsN希薄窒化物合金の中赤外光ルミネセンス
Mid-infrared photoluminescence of InAsN dilute nitride alloys grown by LPE and MBE
著者 (4件):
DE LA MARE M.
(Physics Dep., Lancaster Univ., Lancaster LA1 4YB, GBR)
,
ZHUANG Q.
(Physics Dep., Lancaster Univ., Lancaster LA1 4YB, GBR)
,
DHAR S.
(Dep. of Electronic Sci., Univ. of Calcutta 92, APC. Road, Kolkata-700 009, IND)
,
KRIER A.
(Physics Dep., Lancaster Univ., Lancaster LA1 4YB, GBR)
資料名:
Infrared Physics & Technology
(Infrared Physics & Technology)
巻:
55
号:
5
ページ:
399-402
発行年:
2012年09月
JST資料番号:
H0184A
ISSN:
1350-4495
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)