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文献
J-GLOBAL ID：201202218250537983
整理番号：12A1466415
中性子誘導単一事象過渡電流のスケーリング効果および回路種類依存性
Scaling Effect and Circuit Type Dependence of Neutron induced Single Event Transient
NAKAMURA Hideyuki
(Renesas Electronics Corp., JPN)
,
NAKAMURA Hideyuki
(MIRAI-Selete, Sagamihara, JPN)
,
UEMURA Taiki
(Fujitsu Semiconductor Ltd., JPN)
,
UEMURA Taiki
(MIRAI-Selete, Sagamihara, JPN)
,
TAKEUCHI Kan
(Renesas Electronics Corp., JPN)
,
TAKEUCHI Kan
(MIRAI-Selete, Sagamihara, JPN)
,
FUKUDA Toshikazu
(Toshiba Corp., JPN)
,
FUKUDA Toshikazu
(MIRAI-Selete, Sagamihara, JPN)
,
KUMASHIRO Shigetaka
(Renesas Electronics Corp., JPN)
,
KUMASHIRO Shigetaka
(MIRAI-Selete, Sagamihara, JPN)
,
MOGAMI Tohru
(NEC Corp., JPN)
,
MOGAMI Tohru
(MIRAI-Selete, Sagamihara, JPN)
資料名：
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2012 Vol.1 ページ： 245-251 発行年： 2012年
JST資料番号： A0631A ISSN： 1541-7026 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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