文献
J-GLOBAL ID:201202218492787143
整理番号:12A0814403
モンテカルロシミュレーションによるメタルゲートMOSデバイスにおけるランダム仕事関数誘起閾値電圧変動の推定
Random Work-Function-Induced Threshold Voltage Fluctuation in Metal-Gate MOS Devices by Monte Carlo Simulation
著者 (2件):
LI Yiming
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHENG Hui-Wen
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
(IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻:
25
号:
2
ページ:
266-271
発行年:
2012年05月
JST資料番号:
T0521A
ISSN:
0894-6507
CODEN:
ITSMED
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)