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文献
J-GLOBAL ID：201202218897842893
整理番号：12A0417100
Alドープp型4H-SiCにおける補償依存性に輸送について
Compensation-Dependent Carrier Transport of Al-Doped p-Type 4H-SiC
KOIZUMI Atsushi
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
IWAMOTO Naoya
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
IWAMOTO Naoya
(Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN)
,
ONODA Shinobu
(Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN)
,
OHSHIMA Takeshi
(Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN)
,
KIMOTO Tsunenobu
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
UCHIDA Kazuo
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
NOZAKI Shinji
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 679/680 ページ： 201-204 発行年： 2011年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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