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文献
J-GLOBAL ID：201202219054516915
整理番号：12A0655717
高電圧ドレイン拡大型MOSFETsの電熱特性に関する研究
The Study of the Electrothermal Property of High-Voltage Drain-Extended MOSFETs
CHU Chen-Liang
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHU Chen-Liang
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
HU Chih-Min
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
HUNG Chung-Yu
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
GONG Jeng
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
HUANG Chih-Fang
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Fei-Yun
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
LIOU Ruey-Hsin
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
,
TUAN Hsiao-Chin
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59 号： 4 ページ： 1149-1154 発行年： 2012年04月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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