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文献
J-GLOBAL ID:201202219119371936   整理番号:12A0584262

Al2O3でキャップをした高誘電体/金属ゲートp型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタに対する,フッ素混入による更なる仕事関数と界面品質の改良

Further work function and interface quality improvement on Al2O3 capped high-k/metal gate p-type metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors by incorporation of fluorine
著者 (5件):
CHEN Y.w.
LAI C.m.
CHENG L.w.
HSU C.h.
HSU C.w.

資料名:
Thin Solid Films  (Thin Solid Films)

巻: 520  号: 13  ページ: 4482-4485  発行年: 2012年04月30日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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