文献
J-GLOBAL ID:201202219498547213
整理番号:12A1115673
ゲルマニウム上に成長したSiドープGaInPエピ層内のGe系複合体に関する光ルミネセンス及びRaman研究
Photoluminescence and Raman studies on Ge-based complexes in Si-doped GaInP epilayers grown on Germanium
著者 (6件):
HE W.
(Key Lab. of Nanodevices and Applications, Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sciences ...)
,
LU S. L.
(Key Lab. of Nanodevices and Applications, Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sciences ...)
,
JIANG D. S.
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
DONG J. R.
(Key Lab. of Nanodevices and Applications, Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sciences ...)
,
TACKEUCHI A.
(Dep. of Physics, Waseda Univ., Tokyo 169-8555, JPN)
,
YANG H.
(Key Lab. of Nanodevices and Applications, Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sciences ...)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
112
号:
2
ページ:
023509-023509-3
発行年:
2012年07月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)