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文献
J-GLOBAL ID：201202219579349220
整理番号：12A1258035
非晶質TiOx系のバイポーラ抵抗スイッチングランダムアクセスメモリ素子におけるランダムテレグラフノイズの現象論的解析
Phenomenological Analysis of Random Telegraph Noise in Amorphous TiOx-Based Bipolar Resistive Switching Random Access Memory Devices
LEE Jung-Kyu
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Ju-Wan
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
BAE Jong-Ho
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
PARK Jinwon
(Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR)
,
CHUNG Sung-Woong
(Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR)
,
ROH Jae Sung
(Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR)
,
HONG Sung-Joo
(Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR)
,
LEE Jong-Ho
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 12 号： 7 ページ： 5392-5396 発行年： 2012年07月
JST資料番号： W1351A ISSN： 1533-4880 CODEN： JNNOAR 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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