文献
J-GLOBAL ID:201202219839549627
整理番号:12A1776500
AlGaN/GaN HFETにおけるRFチャネルブレークダウンの単純化した物理モデル
A Simplified Physical Model of RF Channel Breakdown in AlGaN/GaN HFETs
著者 (3件):
SCHIMIZZI Ryan D.
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
TREW Robert J.
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
BILBRO Griff L.
(North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
11
ページ:
2973-2978
発行年:
2012年11月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)