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J-GLOBAL ID：201202219986256309 整理番号：12A1145269

高性能縦型トランジスタ向けのシリコン基板上III-V族ナノワイヤチャネル

A III-V nanowire channel on silicon for high-performance vertical transistors

著者 (4件)：

TOMIOKA Katsuhiro

(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)

YOSHIMURA Masatoshi

(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)

FUKUI Takashi

(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)

TOMIOKA Katsuhiro

(JST-PRESTO, Saitama, JPN)

資料名：

Nature (London) (Nature (London))

巻： 488 号： 7410 ページ： 189-192 発行年： 2012年08月09日
JST資料番号： D0193B ISSN： 0028-0836 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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