文献
J-GLOBAL ID:201202220002346629
整理番号:12A1059439
緑色(In,Ga)N量子井戸ダイオードにおける放射再結合効率の順方向および逆バイアス依存
Forward and reverse bias dependence of radiative recombination efficiency in green (In,Ga)N quantum well diodes
著者 (6件):
SOEJIMA K.
(Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
,
HORIGUCHI M.
(Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
,
ONO K.
(Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
,
JIMI H.
(Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
,
SATAKE A.
(Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
,
FUJIWARA K.
(Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
資料名:
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
(Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻:
44
号:
7-8
ページ:
1278-1281
発行年:
2012年04月
JST資料番号:
W1066A
ISSN:
1386-9477
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)