文献
J-GLOBAL ID:201202220014410934
整理番号:12A1312021
SiO2基板との相互作用及びvan der Waals力によって誘起されたグラフェン上のNO2の物理吸着から化学吸着への遷移 第一原理研究
Physisorption to chemisorption transition of NO2 on graphene induced by the interplay of SiO2 substrate and van der Waals forces: A first principles study
著者 (3件):
DAI Jiayu
(Dep. of Physics, Coll. of Sci., National Univ. of Defense Technol., Changsha 410073, People’s Republic of China)
,
YUAN Jianmin
(Dep. of Physics, Coll. of Sci., National Univ. of Defense Technol., Changsha 410073, People’s Republic of China)
,
YUAN Jianmin
(State key laboratory of high performance computing, National Univ. of Defense Technol., Changsha 410073, People’s ...)
資料名:
Chemical Physics
(Chemical Physics)
巻:
405
ページ:
161-166
発行年:
2012年09月11日
JST資料番号:
D0167B
ISSN:
0301-0104
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)