前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201202220327054896
整理番号：12A0269269
導電性のLaAlO3/SrTiO3界面におけるシート電子密度に対する電荷補償機構の影響
Influence of charge compensation mechanisms on the sheet electron density at conducting LaAlO3/SrTiO3-interfaces
GUNKEL F.
(Peter Gruenberg Inst. and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU)
,
BRINKS P.
(Fac. of Sci. and Technol., MESA+ Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente. P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, NLD)
,
HOFFMANN-EIFERT S.
(Peter Gruenberg Inst. and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU)
,
DITTMANN R.
(Peter Gruenberg Inst. and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU)
,
HUIJBEN M.
(Fac. of Sci. and Technol., MESA+ Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente. P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, NLD)
,
KLEIBEUKER J. E.
(Fac. of Sci. and Technol., MESA+ Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente. P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, NLD)
,
KOSTER G.
(Fac. of Sci. and Technol., MESA+ Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente. P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, NLD)
,
RIJNDERS G.
(Fac. of Sci. and Technol., MESA+ Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente. P.O. Box 217, 7500 AE Enschede, NLD)
,
WASER R.
(Peter Gruenberg Inst. and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 100 号： 5 ページ： 052103 発行年： 2012年01月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。