文献
J-GLOBAL ID:201202220540406135
整理番号:12A0507765
硫黄による不動態化したGaAs上の混合(TiO2)1-x(Y2O3)xおよび(Ta2O5)1-x(Y2O3)x(0≦x≦1)ゲート誘電体の界面特性
Interface Properties of Mixed (TiO2)1-x(Y2O3)x and (Ta2O5)1-x(Y2O3)x (0≦x≦1) Gate Dielectrics on Sulfur-Passivated GaAs
著者 (7件):
DAS T.
(Indian Inst. of Technol., Kharagpur, IND)
,
MAHATA C.
(Indian Inst. of Technol., Kharagpur, IND)
,
MALLIK S.
(Indian Inst. of Technol., Kharagpur, IND)
,
VARMA S.
(Inst. of Physics, Bhubaneswar, IND)
,
SUTRADHAR G.
(Jadavpur Univ., Kolkata, IND)
,
BOSE P. K.
(Jadavpur Univ., Kolkata, IND)
,
MAITI C. K.
(Indian Inst. of Technol., Kharagpur, IND)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
159
号:
3
ページ:
H323-H328
発行年:
2012年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)