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文献
J-GLOBAL ID：201202220576109137
整理番号：12A0416625
エピ層の貫通エッジ転位を伴うトポグラフィー解析による4H-SiC基板における基底面転位の特性化
Characterization of Basal Plane Dislocations in 4H-SiC Substrates by Topography Analysis of Threading Edge Dislocations in Epilayers
KAMATA I.
(Central Res. Inst. Electric Power Ind. (CRIEPI), Kanagawa, JPN)
,
NAGANO M.
(Central Res. Inst. Electric Power Ind. (CRIEPI), Kanagawa, JPN)
,
TSUCHIDA H.
(Central Res. Inst. Electric Power Ind. (CRIEPI), Kanagawa, JPN)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 645/648 号： Pt.1 ページ： 303-306 発行年： 2010年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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