文献
J-GLOBAL ID:201202221395413205
整理番号:12A0776600
ナフタレンジイミドベース高分子半導体:合成,構造-特性相関,及びn-チャンネル及び両極性電界効果トランジスタ
Naphthalene Diimide-Based Polymer Semiconductors: Synthesis, Structure-Property Correlations, and n-Channel and Ambipolar Field-Effect Transistors
著者 (5件):
GUO Xugang
(Univ. Kentucky, Kentucky, USA)
,
KIM Felix Sunjoo
(Univ. Washington, Washington, USA)
,
SEGER Mark J.
(Univ. Kentucky, Kentucky, USA)
,
JENEKHE Samson A.
(Univ. Washington, Washington, USA)
,
WATSON Mark D.
(Univ. Kentucky, Kentucky, USA)
資料名:
Chemistry of Materials
(Chemistry of Materials)
巻:
24
号:
8
ページ:
1434-1442
発行年:
2012年04月24日
JST資料番号:
T0893A
ISSN:
0897-4756
CODEN:
CMATEX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)