文献
J-GLOBAL ID:201202221804221909
整理番号:12A0871881
低温で成長したGeナノクラスタ埋込GeOx膜に基づく金属-酸化物-半導体構造の記憶特性
Memory Characteristics of Metal-Oxide-Semiconductor Structures Based on Ge Nanoclusters-Embedded GeOx Films Grown at Low Temperature
著者 (4件):
LIN Tzu-Shun
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LOU Li-Ren
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LEE Ching-Ting
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
TSAI Tai-Cheng
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
12
号:
3
ページ:
2076-2080
発行年:
2012年03月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)