前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201202222239617441
整理番号：12A0758728
6H-SiC(0001)基板のC表面上での立方晶SiC形成
Cubic SiC formation on the C-face of 6H-SiC (0001) substrates
VASILIAUSKAS Remigijus
(Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-581 83 Linkoeping, SWE)
,
JUILLAGUET Sandrine
(CNRS and Univ. Montpellier 2, Lab. Charles Coulomb, cc074-GES, 34095 Montpellier cedex 5, FRA)
,
SYVAEJAERVI Mikael
(Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-581 83 Linkoeping, SWE)
,
YAKIMOVA Rositza
(Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-581 83 Linkoeping, SWE)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 348 号： 1 ページ： 91-96 発行年： 2012年06月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。