文献
J-GLOBAL ID:201202222296154776
整理番号:12A1767545
強誘電性トンネルメムリスタ
Ferroelectric Tunnel Memristor
著者 (7件):
KIM D. J.
(Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA)
,
LU H.
(Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA)
,
RYU S.
(Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA)
,
BARK C.-W.
(Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA)
,
EOM C.-B.
(Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA)
,
TSYMBAL E. Y.
(Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA)
,
GRUVERMAN A.
(Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA)
資料名:
Nano Letters
(Nano Letters)
巻:
12
号:
11
ページ:
5697-5702
発行年:
2012年11月
JST資料番号:
W1332A
ISSN:
1530-6984
CODEN:
NALEFD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)