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文献
J-GLOBAL ID：201202222548276608
整理番号：12A1700716
地上条件下でのInGaSb合金半導体のバルク成長: ISSでの微小重力実験に向けた予備的研究
Bulk growth of InGaSb alloy semiconductor under terrestrial conditions: A Preliminary study for microgravity experiments at ISS
ARIVANANDHAN M.
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
RAJESH G.
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
TANAKA A.
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
OZAWA T.
(Shizuoka Inst. of Sci. and Technol., Shizuoka, JPN)
,
OKANO Y.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
INATOMI Y.
(Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN)
,
HAYAKAWA Y.
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名：
Defect and Diffusion Forum
(Defect and Diffusion Forum)
巻： 323/325 ページ： 539-544 発行年： 2012年
JST資料番号： D0958B ISSN： 1012-0386 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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