文献
J-GLOBAL ID:201202222800226368
整理番号:12A0924301
SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価
Growth and characterization of strained Ge epitaxial layers on SiGe substrates
著者 (5件):
山羽隆
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
中塚理
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
木下恭一
(宇宙航空研究開発機構 宇宙科研)
,
依田眞一
(宇宙航空研究開発機構 宇宙科研)
,
財満鎭明
(名古屋大 大学院工学研究科)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
112
号:
34(SDM2012 19-42)
ページ:
73-77
発行年:
2012年05月10日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)