文献
J-GLOBAL ID:201202223201489160
整理番号:12A0238101
アニール無しインジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタに基づく高性能光消去可能メモリと実時間紫外線検出器
High-Performance Light-Erasable Memory and Real-Time Ultraviolet Detector Based on Unannealed Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistor
著者 (2件):
CHEN Wei-Tsung
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
ZAN Hsiao-Wen
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
33
号:
1
ページ:
77-79
発行年:
2012年01月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)