文献
J-GLOBAL ID:201202223577631685
整理番号:12A1006100
斜軸CMPにより誘起される原子ステップはSiC表面の電気的性質に影響を及ぼす
The atomic step induced by off angle CMP influences the electrical properties of the SiC surface
著者 (5件):
TANAKA Yayoi
(Nagoya Inst. Technol., Aichi, JPN)
,
KANDA Takao
(POVALKOGYO CO., Ltd., Aichi, JPN)
,
NAGATOSHI Kazuyuki
(FUJIMI INC., Aichi, JPN)
,
YOSHIMURA Masamichi
(Toyota Technological Inst., Aichi, JPN)
,
ERYU Osamu
(Nagoya Inst. Technol., Aichi, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
717/720
号:
Pt.1
ページ:
569-572
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)