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文献
J-GLOBAL ID：201202224015859795
整理番号：12A0835022
GaN系メサ型およびプレーナ型へテロ構造電界効果トランジスタにおけるゲート漏れ電流
Gate leakage current in GaN-based mesa- and planar-type heterostructure field-effect transistors
KOVAC J.
(Inst. of Electronics and Photonics, Slovak Univ. of Technol., SK-81219 Bratislava, SVK)
,
SATKA A.
(Inst. of Electronics and Photonics, Slovak Univ. of Technol., SK-81219 Bratislava, SVK)
,
CHVALA A.
(Inst. of Electronics and Photonics, Slovak Univ. of Technol., SK-81219 Bratislava, SVK)
,
DONOVAL D.
(Inst. of Electronics and Photonics, Slovak Univ. of Technol., SK-81219 Bratislava, SVK)
,
KORDOS P.
(Inst. of Electronics and Photonics, Slovak Univ. of Technol., SK-81219 Bratislava, SVK)
,
KORDOS P.
(Inst. of Electrical Engineering, Slovak Acad. of Sciences, SK-84104 Bratislava, SVK)
,
DELAGE S.
(Alcatel-Thales III-V Lab, Route de Nozay, 91460 Marcoussis, FRA)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 52 号： 7 ページ： 1323-1327 発行年： 2012年07月
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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