文献
J-GLOBAL ID:201202224285086712
整理番号:12A0960587
熱ナノインプリントリソグラフィーとCl2/Xe誘導結合プラズマ(ICP)エッチングによるSiベースの高屈折率差回折格子の微細加工
Microfabrication of Si-Based High-Index-Contrast-Grating Structure by Thermal Nanoimprint Lithography and Cl2/Xe-Inductively Coupled Plasma Etching
著者 (4件):
MATSUTANI Akihiro
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
HASHIDUME Yuuki
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
OHTSUKI Hideo
(Samco Inc., Kyoto, JPN)
,
KOYAMA Fumio
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
6,Issue 2
ページ:
06FF05.1-06FF05.4
発行年:
2012年06月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)