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文献
J-GLOBAL ID：201202224864393899
整理番号：12A0779248
AlN層の特性に及ぼす厚みおよびアンモニア流速の影響
The influence of thickness and ammonia flow rate on the properties of AlN layers
COEREKCI S.
(Dep. of Physics, Fac. of Sci. and Arts, Kirklareli Univ., 39160 Kirklareli, TUR)
,
OEZTUERK M.k.
(Dep. of Physics, Fac. of Sci. and Arts, Gazi Univ., Teknikokullar, 06500 Ankara, TUR)
,
CAKMAK M.
(Dep. of Physics, Fac. of Sci. and Arts, Gazi Univ., Teknikokullar, 06500 Ankara, TUR)
,
OEZCELIK S.
(Dep. of Physics, Fac. of Sci. and Arts, Gazi Univ., Teknikokullar, 06500 Ankara, TUR)
,
OEZBAY E.
(Nanotechnology Res. Center, Dep. of Physics, Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Bilkent Univ., 06800 ...)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 15 号： 1 ページ： 32-36 発行年： 2012年02月
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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