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文献
J-GLOBAL ID:201202224940695336   整理番号:12A1485863

高kゲートスタックにおける欠陥発生の多手法による検討

Multi-technique study of defect generation in high-k gate stacks
著者 (10件):
VEKSLER D.
(SEMATECH Albany, NY, USA)
BERSUKER G.
(SEMATECH Albany, NY, USA)
MADAN H.
(Penn State Univ.)
VANDELLI L.
(Univ. Modena and Reggio Emilia)
MINAKAIS M.
(SEMATECH Albany, NY, USA)
MATTHEWS K.
(SEMATECH Albany, NY, USA)
YOUNG C. D.
(SEMATECH Albany, NY, USA)
DATTA S.
(Penn State Univ.)
HOBBS C.
(SEMATECH Albany, NY, USA)
KIRSCH P. D.
(SEMATECH Albany, NY, USA)

資料名:
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)

巻: 2012 Vol.2  ページ: 496-500  発行年: 2012年 
JST資料番号: A0631A  ISSN: 1541-7026  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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