文献
J-GLOBAL ID:201202224940695336
整理番号:12A1485863
高kゲートスタックにおける欠陥発生の多手法による検討
Multi-technique study of defect generation in high-k gate stacks
著者 (10件):
VEKSLER D.
(SEMATECH Albany, NY, USA)
,
BERSUKER G.
(SEMATECH Albany, NY, USA)
,
MADAN H.
(Penn State Univ.)
,
VANDELLI L.
(Univ. Modena and Reggio Emilia)
,
MINAKAIS M.
(SEMATECH Albany, NY, USA)
,
MATTHEWS K.
(SEMATECH Albany, NY, USA)
,
YOUNG C. D.
(SEMATECH Albany, NY, USA)
,
DATTA S.
(Penn State Univ.)
,
HOBBS C.
(SEMATECH Albany, NY, USA)
,
KIRSCH P. D.
(SEMATECH Albany, NY, USA)
資料名:
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻:
2012 Vol.2
ページ:
496-500
発行年:
2012年
JST資料番号:
A0631A
ISSN:
1541-7026
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)