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文献
J-GLOBAL ID：201202224959342647
整理番号：12A0589139
自立基板上GaN p-nダイオード順方向電流-電圧特性における自己吸収効果
望月和浩
(日立 中研)
,
野本一貴
(法政大 マイクロナノテクノロジー研)
,
畠山義智
(法政大 理工)
,
片寄秀雄
(法政大 理工)
,
三島友義
(日立電線)
,
金田直樹
(日立電線)
,
土屋忠厳
(日立電線)
,
寺野昭久
(日立 中研)
,
石垣隆士
(日立 中研)
,
土屋朋信
(日立 中研)
,
土屋龍太
(日立 中研)
,
中村徹
(法政大 マイクロナノテクノロジー研)
,
中村徹
(法政大 理工)
,
中村徹
(カリフォルニア州大 サンディエゴ校)
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th ページ： ROMBUNNO.17P-E3-8 発行年： 2012年02月29日
JST資料番号： Y0054B 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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