文献
J-GLOBAL ID:201202224990343767
整理番号:12A0924296
ドライエッチ面を含むAl2O3/AlGaN/GaN構造の界面評価
Interface characterization of GaN-based MOS heterostructures employing ICP-etched AlGaN surfaces
著者 (5件):
谷田部然治
(北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
,
堀祐臣
(北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
,
KIM Sungsik
(北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
,
橋詰保
(北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
,
橋詰保
(JST-CREST)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
112
号:
34(SDM2012 19-42)
ページ:
49-52
発行年:
2012年05月10日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)