文献
J-GLOBAL ID:201202225011098753
整理番号:12A0705976
AlN自立型基板上のSchottky障壁ダイオード
Shottky Barrier Diodes on AlN Free-Standing Substrates
著者 (3件):
IROKAWA Yoshihiro
(National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
GARCIA VILLORA Encarnacion A.
(National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
SHIMAMURA Kiyoshi
(National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
4,Issue 1
ページ:
040206.1-040206.3
発行年:
2012年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)