文献
J-GLOBAL ID:201202225545967838
整理番号:12A1053021
窒素ドープシリコンにおける深部ドナーの外方拡散と空格子点の拡散率
Out-diffusion of deep donors in nitrogen-doped silicon and the diffusivity of vacancies
著者 (2件):
VORONKOV V. V.
(MEMC Electronic Materials, via Nazionale 59, Merano BZ, ITA)
,
FALSTER R.
(MEMC Electronic Materials, via Nazionale 59, Merano BZ, ITA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
112
号:
1
ページ:
013519-013519-4
発行年:
2012年07月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)