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文献
J-GLOBAL ID：201202225794838274
整理番号：12A1348907
分子ビームエピタクシーによるGaP上のGaSbの歪解放と成長最適化
Strain relief and growth optimization of GaSb on GaP by molecular beam epitaxy
WANG Y
(CIMAP, CNRS, Caen, FRA)
,
RUTERANA P
(CIMAP, CNRS, Caen, FRA)
,
CHEN J
(CIMAP, CNRS, Caen, FRA)
,
DESPLANQUE L
(IEMN, CNRS, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
KAZZI S El
(IEMN, CNRS, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
WALLART X
(IEMN, CNRS, Villeneuve d’Ascq, FRA)
資料名：
Journal of Physics. Condensed Matter
(Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 24 号： 33 ページ： 335802,1-7 発行年： 2012年08月22日
JST資料番号： B0914B ISSN： 0953-8984 CODEN： JCOMEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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