文献
J-GLOBAL ID:201202225796548044
整理番号:12A0790038
極薄基板GeOI及びInGaAs-OI n-MOSFETのしきい値振動と静電完全性に及ぼす量子閉じ込めの影響
Impact of Quantum Confinement on Subthreshold Swing and Electrostatic Integrity of Ultra-Thin-Body GeOI and InGaAs-OI n-MOSFETs
著者 (4件):
YU Chang-Hung
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
WU Yu-Sheng
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
HU Vita Pi-Ho
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
SU Pin
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Nanotechnology
(IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻:
11
号:
2
ページ:
287-291
発行年:
2012年03月
JST資料番号:
W1355A
ISSN:
1536-125X
CODEN:
ITNECU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)