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文献
J-GLOBAL ID:201202226053310325   整理番号:12A0876147

光有感Ox/GaAsヘテロ接合 生成と特性

Photosensitive Ox/GaAs heterojunctions: Creation and properties
著者 (4件):
RUD’ V. Yu.
(St. Petersburg State Polytechnical Univ., ul. Politekhnicheskaya 29, 195257, St. Petersburg, RUS)
RUD’ Yu. V.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS)
TERUKOV E. I.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS)
USHAKOVA T. N.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS)

資料名:
Semiconductors  (Semiconductors)

巻: 46  号:ページ: 783-785  発行年: 2012年06月 
JST資料番号: T0093A  ISSN: 1063-7826  CODEN: SMICES  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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