文献
J-GLOBAL ID:201202226212498039
整理番号:12A0416614
異種シリコン基板におけるドープ3C-SiCのラマン特性化とC/Si比
Raman characterization of doped 3C-SiC/Si for different silicon substrates and C/Si ratios
著者 (9件):
PILUSO N.
(IMM-CNR, Catania, ITA)
,
SEVERINO A.
(IMM-CNR, Catania, ITA)
,
CAMARDA M.
(IMM-CNR, Catania, ITA)
,
ANZALONE R.
(IMM-CNR, Catania, ITA)
,
CANINO A.
(IMM-CNR, Catania, ITA)
,
CANINO A.
(Epitaxial Techn. Center, Catania, ITA)
,
CONDORELLI G.
(Epitaxial Techn. Center, Catania, ITA)
,
ABBONDANZA G.
(Epitaxial Techn. Center, Catania, ITA)
,
LA VIA F.
(IMM-CNR, Catania, ITA)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
645/648
号:
Pt.1
ページ:
255-258
発行年:
2010年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)