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文献
J-GLOBAL ID：201202227614192382
整理番号：12A1173159
ゲートとチャネル間の電気機械的相互作用に基づく振動-ボディ電界効果トランジスタのモデリング
Modeling of Vibrating-Body Field-Effect Transistors Based on the Electromechanical Interactions Between the Gate and the Channel
UEKI Shinji
(OMRON Corp., Yasu, JPN)
,
NISHIMORI Yuki
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
IMAMOTO Hiroshi
(OMRON Corp., Yasu, JPN)
,
KUBOTA Tomohiro
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KAKUSHIMA Kuniyuki
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
IKEHARA Tsuyoshi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
SUGIYAMA Masakazu
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SAMUKAWA Seiji
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HASHIGUCHI Gen
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59 号： 8 ページ： 2235-2242 発行年： 2012年08月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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