文献
J-GLOBAL ID:201202227614192382
整理番号:12A1173159
ゲートとチャネル間の電気機械的相互作用に基づく振動-ボディ電界効果トランジスタのモデリング
Modeling of Vibrating-Body Field-Effect Transistors Based on the Electromechanical Interactions Between the Gate and the Channel
著者 (9件):
UEKI Shinji
(OMRON Corp., Yasu, JPN)
,
NISHIMORI Yuki
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
IMAMOTO Hiroshi
(OMRON Corp., Yasu, JPN)
,
KUBOTA Tomohiro
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KAKUSHIMA Kuniyuki
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
IKEHARA Tsuyoshi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
SUGIYAMA Masakazu
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SAMUKAWA Seiji
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HASHIGUCHI Gen
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
8
ページ:
2235-2242
発行年:
2012年08月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)