文献
J-GLOBAL ID:201202227795221427
整理番号:12A0993923
表面化学によるシリコンナノワイヤの成長方位の制御
Controlling Silicon Nanowire Growth Direction via Surface Chemistry
著者 (2件):
SHIN Naechul
(Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA)
,
FILLER Michael A.
(Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA)
資料名:
Nano Letters
(Nano Letters)
巻:
12
号:
6
ページ:
2865-2870
発行年:
2012年06月
JST資料番号:
W1332A
ISSN:
1530-6984
CODEN:
NALEFD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)