文献
J-GLOBAL ID:201202227982335860
整理番号:12A0802585
In組成の異なるInAlN/GaNによって構成されるヘテロ構造中の二次元電子ガスからのルミネセンス
Luminescence from two-dimensional electron gases in InAlN/GaN heterostructures with different In content
著者 (9件):
ROMERO M. F.
(Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, 39106 Magdeburg, DEU)
,
FENEBERG M.
(Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, 39106 Magdeburg, DEU)
,
MOSER P.
(Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, 39106 Magdeburg, DEU)
,
BERGER C.
(Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, 39106 Magdeburg, DEU)
,
BLAESING J.
(Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, 39106 Magdeburg, DEU)
,
DADGAR A.
(Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, 39106 Magdeburg, DEU)
,
KROST A.
(Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, 39106 Magdeburg, DEU)
,
SAKALAUSKAS E.
(Inst. fuer Physik, Technische Universitaet Ilmenau, PF100565, 98684 Ilmenau, DEU)
,
GOLDHAHN R.
(Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, 39106 Magdeburg, DEU)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
21
ページ:
212101-212101-4
発行年:
2012年05月21日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)