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文献
J-GLOBAL ID：201202228175981487
整理番号：12A0611026
非晶質状態にあるニオビウムのドープされた酸化チタンの半導体的挙動
Semiconducting behavior of niobium-doped titanium oxide in the amorphous state
OK Kyung-chul
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Dankook Univ., Mt. 29, Anseo-Dong, Cheonan 330-714, KOR)
,
PARK Joseph
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Dankook Univ., Mt. 29, Anseo-Dong, Cheonan 330-714, KOR)
,
HO LEE Ju
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, KAIST, 335 Gwahangno, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, KOR)
,
DU AHN Byung
(LCD R&D Center, Samsung Electronics Co. LTD, Yongin 446-711, KOR)
,
HUN LEE Je
(LCD R&D Center, Samsung Electronics Co. LTD, Yongin 446-711, KOR)
,
CHUNG Kwun-bum
(Dep. of Physics, Dankook Univ., Mt. 29, Anseo-Dong, Cheonan 330-714, KOR)
,
PARK Jin-seong
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Dankook Univ., Mt. 29, Anseo-Dong, Cheonan 330-714, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 100 号： 14 ページ： 142103-142103-3 発行年： 2012年04月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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