文献
J-GLOBAL ID:201202228175981487
整理番号:12A0611026
非晶質状態にあるニオビウムのドープされた酸化チタンの半導体的挙動
Semiconducting behavior of niobium-doped titanium oxide in the amorphous state
著者 (7件):
OK Kyung-chul
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Dankook Univ., Mt. 29, Anseo-Dong, Cheonan 330-714, KOR)
,
PARK Joseph
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Dankook Univ., Mt. 29, Anseo-Dong, Cheonan 330-714, KOR)
,
HO LEE Ju
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, KAIST, 335 Gwahangno, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, KOR)
,
DU AHN Byung
(LCD R&D Center, Samsung Electronics Co. LTD, Yongin 446-711, KOR)
,
HUN LEE Je
(LCD R&D Center, Samsung Electronics Co. LTD, Yongin 446-711, KOR)
,
CHUNG Kwun-bum
(Dep. of Physics, Dankook Univ., Mt. 29, Anseo-Dong, Cheonan 330-714, KOR)
,
PARK Jin-seong
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Dankook Univ., Mt. 29, Anseo-Dong, Cheonan 330-714, KOR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
14
ページ:
142103-142103-3
発行年:
2012年04月02日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)