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文献
J-GLOBAL ID：201202228312633556
整理番号：12A1697847
硬X線角度分解光電子による希薄磁性半導体Ga1-xMnxAsのバルク電子構造
Bulk electronic structure of the dilute magnetic semiconductor Ga1-xMnxAs through hard X-ray angle-resolved photoemission
GRAY A. X.
(Univ. California Davis, California, USA)
,
GRAY A. X.
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
,
GRAY A. X.
(Stanford Inst. for Materials and Energy Sci., Stanford Univ. and SLAC National Accelerator Lab., California, USA)
,
MINAR J.
(Ludwig Maximillian Univ., Munich, DEU)
,
UEDA S.
(National Inst. for Materials Sci., Hyogo, JPN)
,
STONE P. R.
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
,
STONE P. R.
(Univ. California Berkeley, California, USA)
,
YAMASHITA Y.
(National Inst. for Materials Sci., Hyogo, JPN)
,
FUJII J.
(Istituto Officina dei Materiali IOM, CNR, Trieste, ITA)
,
BRAUN J.
(Ludwig Maximillian Univ., Munich, DEU)
,
PLUCINSKI L.
(Res. Center Juelich, Juelich, DEU)
,
SCHNEIDER C. M.
(Res. Center Juelich, Juelich, DEU)
,
PANACCIONE G.
(Istituto Officina dei Materiali IOM, CNR, Trieste, ITA)
,
EBERT H.
(Ludwig Maximillian Univ., Munich, DEU)
,
DUBON O. D.
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
,
DUBON O. D.
(Univ. California Berkeley, California, USA)
,
KOBAYASHI K.
(National Inst. for Materials Sci., Hyogo, JPN)
,
FADLEY C. S.
(Univ. California Davis, California, USA)
,
FADLEY C. S.
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
資料名：
Nature Materials
(Nature Materials)
巻： 11 号： 11 ページ： 957-962 発行年： 2012年11月
JST資料番号： W1364A ISSN： 1476-1122 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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