文献
J-GLOBAL ID:201202228362828633
整理番号:12A0870934
両極性nおよびpチャネルセルの多層Schottky障壁ナノワイヤSONOSメモリ
Multilevel Schottky Barrier Nanowire SONOS Memory With Ambipolar n- and p-Channel Cells
著者 (4件):
SHIH Chun-Hsing
(National Chi Nan Univ., Nantou, TWN)
,
CHANG Wei
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
WU Wen-Fa
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
LIEN Chenhsin
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
6
ページ:
1614-1620
発行年:
2012年06月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)