文献
J-GLOBAL ID:201202228427500410
整理番号:12A0549318
Cuのソース/ドレイン電極を備えたa-InGaZnOを基本とする薄膜トランジスタの電気的特性評価
Electrical characterization of a-InGaZnO thin-film transistors with Cu source/drain electrodes
著者 (4件):
JEONG Jaewook
(Div. of Nano and Bio Technol., Daegu Gyeongbuk Inst. of Sci. and Technol., Daegu, KOR)
,
JUN LEE Gwang
(Div. of Nano and Bio Technol., Daegu Gyeongbuk Inst. of Sci. and Technol., Daegu, KOR)
,
KIM Joonwoo
(Div. of Nano and Bio Technol., Daegu Gyeongbuk Inst. of Sci. and Technol., Daegu, KOR)
,
CHOI Byeongdae
(Div. of Nano and Bio Technol., Daegu Gyeongbuk Inst. of Sci. and Technol., Daegu, KOR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
11
ページ:
112109-112109-4
発行年:
2012年03月12日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)