文献
J-GLOBAL ID:201202228458557690
整理番号:12A0706053
ポリシリコンチャネル電界効果トランジスタ用SiO2における欠陥の生成とブレークダウン特性
Characteristics of Defect Generation and Breakdown in SiO2 for Polycrystalline Silicon Channel Field-Effect Transistor
著者 (4件):
HIRANO Izumi
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
SAITOH Masumi
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
NUMATA Toshinori
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
MITANI Yuichiro
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
4,Issue 2
ページ:
04DA02.1-04DA02.5
発行年:
2012年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)