文献
J-GLOBAL ID:201202228634391531
整理番号:12A0768151
30μmの活性層,多孔質シリコン後部リフレクタ,およびCuに基づくトップ接触メタライゼーションを備えた>16%の薄膜エピタキシャル成長シリコン太陽電池
>16% thin-film epitaxial silicon solar cells on 70-cm2 area with 30-μm active layer, porous silicon back reflector, and Cu-based top-contact metallization
著者 (7件):
KUZMA-FILIPEK Izabela
(IMEC vzw, Heverlee, BEL)
,
DROSS Frederic
(IMEC vzw, Heverlee, BEL)
,
BAERT Kris
(IMEC vzw, Heverlee, BEL)
,
HERNANDEZ Jose Luis
(IMEC vzw, Heverlee, BEL)
,
SINGH Sukhvinder
(IMEC vzw, Heverlee, BEL)
,
VAN NIEUWENHUYSEN Kris
(IMEC vzw, Heverlee, BEL)
,
POORTMANS Jef
(IMEC vzw, Heverlee, BEL)
資料名:
Progress in Photovoltaics
(Progress in Photovoltaics)
巻:
20
号:
3
ページ:
350-355
発行年:
2012年05月
JST資料番号:
W0463A
ISSN:
1062-7995
CODEN:
PPHOED
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)