文献
J-GLOBAL ID:201202228939278093
整理番号:12A1005987
トリクロロシラン(TCS)を用いた2°斜軸基板上の4H-SiCエピタキシャル成長
4H-SiC epitaxial growth on 2° off-axis substrates using trichlorosilane (TCS)
著者 (7件):
AIGO T.
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
ITO W.
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
TSUGE H.
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
YASHIRO H.
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
KATSUNO M.
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
FUJIMOTO T.
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
OHASHI W.
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
717/720
号:
Pt.1
ページ:
101-104
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)