文献
J-GLOBAL ID:201202229000516702
整理番号:12A1593579
InAlN/AlN/GaNヘテロ構造の成長に対する圧力の影響
The influence of pressure on the growth of InAlN/AlN/GaN heterostructure
著者 (9件):
BI Y.
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
WANG X. L.
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
WANG C. M.
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
LI J. P.
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
LIU H. X.
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
CHEN H.
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
XIAO H. L.
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
FENG C.
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
JIANG L. J.
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名:
European Physical Journal. Applied Physics
(European Physical Journal. Applied Physics)
巻:
57
号:
3
ページ:
30103,1-30103,5
発行年:
2012年03月
JST資料番号:
B0655C
ISSN:
1286-0042
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
フランス (FRA)
言語:
英語 (EN)