文献
J-GLOBAL ID:201202229407453721
整理番号:12A1037270
HfO2系抵抗スイッチング構造におけるフィラメント状電流パスの形成と特性評価
Formation and Characterization of Filamentary Current Paths in HfO2-Based Resistive Switching Structures
著者 (4件):
PALUMBO F.
(Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas-Comision Nacional de Energia Atomica (CONICET-CNEA), B A, A)
,
MIRANDA E.
(Univ. Autonoma de Barcelona, Barcelona, ESP)
,
GHIBAUDO G.
(MINATEC, Grenoble, FRA)
,
JOUSSEAUME V.
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
33
号:
7
ページ:
1057-1059
発行年:
2012年07月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)