文献
J-GLOBAL ID:201202229517035550
整理番号:12A1186904
高速重イオンによるGe:SiO2層でのGeナノ結晶の強化形成
Enhanced formation of Ge nanocrystals in Ge:SiO2 layers by swift heavy ions
著者 (11件):
ANTONOVA I V
(Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
SKURATOV V A
(Joint Inst. Nuclear Res., Dubna, RUS)
,
VOLODIN V A
(Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
VOLODIN V A
(Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS)
,
SMAGULOVA S A
(North-Eastern Federal Univ., Yakutsk, RUS)
,
MARIN D M
(Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
MARIN D M
(Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS)
,
VAN VUUREN A Janse
(Nelson Mandela Metropolitan Univ., Port Elizabeth, ZAF)
,
NEETHLING J
(Nelson Mandela Metropolitan Univ., Port Elizabeth, ZAF)
,
JEDRZEJEWSKI J
(Hebrew Univ., Jerusalem, ISR)
,
BALBERG I
(Hebrew Univ., Jerusalem, ISR)
資料名:
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻:
45
号:
28
ページ:
285302,1-6
発行年:
2012年07月18日
JST資料番号:
B0092B
ISSN:
0022-3727
CODEN:
JPAPBE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)