文献
J-GLOBAL ID:201202230860907111
整理番号:12A0783865
シリコン・オン・インシュレータ基板に形成されたNiSiの光学定数に対する分光偏光解析モデル
Spectroscopic ellipsometry model for optical constant of NiSi formed on silicon-on-insulator substrates
著者 (4件):
VELLEI A.
(Laboratorio MDM, IMM-CNR, via C. Olivetti 2, 20864 Agrate Brianza (MB), ITA)
,
FALLICA R.
(Laboratorio MDM, IMM-CNR, via C. Olivetti 2, 20864 Agrate Brianza (MB), ITA)
,
SANGALLI D.
(Laboratorio MDM, IMM-CNR, via C. Olivetti 2, 20864 Agrate Brianza (MB), ITA)
,
LAMPERTI A.
(Laboratorio MDM, IMM-CNR, via C. Olivetti 2, 20864 Agrate Brianza (MB), ITA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
111
号:
9
ページ:
093501-093501-6
発行年:
2012年05月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)