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文献
J-GLOBAL ID：201202230918431791
整理番号：12A1103019
極性と非極性の6H-SiC面におけるエピタキシャルグラフェン成長の比較: 多層フィルムの成長に関して
Comparison of Epitaxial Graphene Growth on Polar and Nonpolar 6H-SiC Faces: On the Growth of Multilayer Films
DAAS B.K.
(Univ. South Carolina, South Carolina, USA)
,
OMAR Sabih U.
(Univ. South Carolina, South Carolina, USA)
,
SHETU S.
(Univ. South Carolina, South Carolina, USA)
,
DANIELS Kevin M.
(Univ. South Carolina, South Carolina, USA)
,
MA S.
(Univ. South Carolina, South Carolina, USA)
,
SUDARSHAN T.S.
(Univ. South Carolina, South Carolina, USA)
,
CHANDRASHEKHAR M.V.S.
(Univ. South Carolina, South Carolina, USA)
資料名：
Crystal Growth & Design
(Crystal Growth & Design)
巻： 12 号： 7 ページ： 3379-3387 発行年： 2012年07月
JST資料番号： W1323A ISSN： 1528-7483 CODEN： CGDEFU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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